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BC857CLT1G

BC857CLT1G

BC856ALT1-D.PDF
Produktcode: 46298
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details BC857CLT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):420V
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):420
  • Package/Case:SOT-23

Weitere Produktangebote BC857CLT1G nach Preis ab 0.036 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4609+0.055 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 4609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
9000+0.056 EUR
27000+0.05 EUR
51000+0.049 EUR
102000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC857CLT1G BC857CLT1G ON-Semiconductor TBC857c_ONS_0001.pdf description PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
264+0.08 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
auf Bestellung 476960 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
9+0.39 EUR
20+0.17 EUR
100+0.09 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
BC857CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BC857CLT1G description ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
BC857CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G description TBC857c_ONS_0001.pdf
BC857CLT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2535 Stücke:
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BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
BC857CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
264+0.08 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.05 EUR
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BC857CLT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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9+0.39 EUR
20+0.17 EUR
100+0.09 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
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BC857CLT1G description BC856_7_8.PDF
BC857CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
BC857CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH