BC857CLT1G ON Semiconductor
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Technische Details BC857CLT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote BC857CLT1G nach Preis ab 0.015 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC857CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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BC857CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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BC857CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 70395 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP |
auf Bestellung 11592 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CLT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS Anzahl je Verpackung: 200 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC857CLT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150 |
auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC857CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC857CLT1G Produktcode: 46298 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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