BC857CLT1G

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Produktcode: 46298
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details BC857CLT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):420V
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):420
  • Package/Case:SOT-23

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : ON-Semiconductor TBC857c_ONS_0001.pdf PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.33 EUR
20+0.14 EUR
100+0.076 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : On Semiconductor BC856ALT1-D.pdf SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC857CLT1G Hersteller : ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G BC857CLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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