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BC858A-7-F

BC858A-7-F Diodes Incorporated

DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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Technische Details BC858A-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC858A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC858 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC858A-7-F BC858A-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 350mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC858 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC858A-7-F
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Hersteller: DIODES INC.
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