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BC858A-7-F

BC858A-7-F Diodes Incorporated

DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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Technische Details BC858A-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC858A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC858 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC858 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: BC858 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 125...250
Collector current: 0.1A
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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BC858A-7-F BC858A-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 125...250
Collector current: 0.1A
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