BC858B TR PBFREE Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 30V 100MA 330MW SMD TRANSISTOR-S
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC858B TR PBFREE Central Semiconductor Corp
Description: 30V 100MA 330MW SMD TRANSISTOR-S, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-23, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO).
Weitere Produktangebote BC858B TR PBFREE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC858B TR PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vebo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC858B TR PBFREE |
|
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vebo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vebo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH