BC858BLT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 11628+ | 0.012 EUR |
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Technische Details BC858BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC858BLT1G nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 299155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 978000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 666000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 666000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 978000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Current gain: 220...475 Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 21835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 39055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 39055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC858BLT1G | Hersteller : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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