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BC858BLT1G

BC858BLT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858BLT1G BC858BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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27000+0.044 EUR
51000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
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BC858BLT1G BC858BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
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14+0.21 EUR
22+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
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BC858BLT1G BC858BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20088 Stücke:
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1719+0.13 EUR
2243+0.095 EUR
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3390+0.063 EUR
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BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20088 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 863 Stücke
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BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC858BLT1G Транзисторы
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BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC858BLT1G Транзисторы
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299155 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57621 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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4927+0.036 EUR
5077+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
15000+0.031 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.038 EUR
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
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6000+0.037 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57621 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4274+0.042 EUR
4367+0.039 EUR
4465+0.037 EUR
4588+0.035 EUR
4695+0.032 EUR
4808+0.031 EUR
4927+0.029 EUR
5077+0.027 EUR
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BC858BLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.043 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC858BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3677+0.049 EUR
9000+0.046 EUR
27000+0.044 EUR
51000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
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BC858BLT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
auf Bestellung 33775 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
14+0.21 EUR
22+0.13 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.23 EUR
152+0.14 EUR
248+0.084 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BC858BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
863+0.29 EUR
1719+0.13 EUR
2243+0.095 EUR
2907+0.074 EUR
3390+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
863+0.29 EUR
1719+0.13 EUR
2243+0.095 EUR
2907+0.074 EUR
3390+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BLT1G BC856_7_8.PDF
BC858BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1096 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC858BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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