BC858BT116 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.54 EUR |
| 577+ | 0.29 EUR |
| 860+ | 0.19 EUR |
| 1147+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details BC858BT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SST3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BC858BT116 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BC858BT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 5310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858BT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.54 EUR |
| 576+ | 0.3 EUR |
| 859+ | 0.19 EUR |
| 1146+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |


