BC858BT116

BC858BT116 Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details BC858BT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SST3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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