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BC858BWT1G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC858BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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5051+0.035 EUR
5209+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
15000+0.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 3664 Stücke
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BC858BWT1G BC858BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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1279+0.14 EUR
2133+0.081 EUR
2151+0.077 EUR
3449+0.046 EUR
3664+0.042 EUR
4927+0.03 EUR
5051+0.027 EUR
6000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BWT1G BC858BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 4503 Stücke:
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100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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BC858BWT1G BC858BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
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8+0.38 EUR
14+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI BC856BWT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3664+0.049 EUR
4927+0.036 EUR
5051+0.035 EUR
5209+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
15000+0.03 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3664 Stücke
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BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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2133+0.081 EUR
2151+0.077 EUR
3449+0.046 EUR
3664+0.042 EUR
4927+0.03 EUR
5051+0.027 EUR
6000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1279 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 4503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.38 EUR
14+0.23 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH