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BC858CDXV6T1G

BC858CDXV6T1G onsemi


bc858cdxv6t1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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Technische Details BC858CDXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc858cdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc858cdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : onsemi bc858cdxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : onsemi BC858CDXV6T1_D-2310364.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc858cdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC858CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc858cdxv6t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 270...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI 699592.pdf Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 420
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BC858CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc858cdxv6t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 270...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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