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BC858CDXV6T1G

BC858CDXV6T1G ON Semiconductor

bc858cdxv6t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details BC858CDXV6T1G ON Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G ON Semiconductor bc858cdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G onsemi BC858CDXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP
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BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G onsemi BC858CDXV6T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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Package / Case: SOT-563, SOT-666
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
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