BC858CDXV6T1G ON Semiconductor
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Technische Details BC858CDXV6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BC858CDXV6T1G nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
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| BC858CDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC858CDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 420 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: Zweifach pnp Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| BC858CDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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