auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4927+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCM856BSH Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Verlustleistung Pd: 200mW, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, DC-Kollektorstrom: 100mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BCM856BSH nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCM856BSH | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BSH | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/PNP BJT |
auf Bestellung 5447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BSH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BSH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Verlustleistung Pd: 200mW Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp DC-Kollektorstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
BCM856BSH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BCM856BSH | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
BCM856BSH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |



