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BCM857QASZ

BCM857QAS.pdf
Produktcode: 216033
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCM857QASZ BCM857QASZ Nexperia USA Inc. BCM857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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BCM857QASZ BCM857QASZ Nexperia BCM857QAS.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.79 EUR
50+0.62 EUR
100+0.5 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BCM857QASZ BCM857QASZ NEXPERIA 2787518.pdf Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCM857QASZ BCM857QASZ NEXPERIA 2787518.pdf Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
22+0.99 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT
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BCM857QASZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
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BCM857QASZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
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Produktcode: 216032
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