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BCP56 Yangjie Electronic Technology

BCP56_Series.pdf Hersteller: Yangjie Electronic Technology
BCP56
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Technische Details BCP56 Yangjie Electronic Technology

Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCP56 Hersteller : HXY MOSFET BCP56_Series.pdf Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G; BCP56 HXY MOSFET TBCP56 HXY
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BCP56 Hersteller : JGSEMI BCP56_Series.pdf Transistor NPN; 250; 1,33W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G; BCP56 JGSEMI TBCP56 JGS
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BCP56 BCP56 Hersteller : ON Semiconductor bcp56jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56 BCP56 Hersteller : onsemi BCP56_Series.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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BCP56 BCP56 Hersteller : onsemi BCP56_Series.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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BCP56 Hersteller : Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Bipolar Transistors - BJT
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