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Technische Details BCP56 Yangjie Electronic Technology
Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote BCP56
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BCP56 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BCP56 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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| BCP56 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BCP56 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-223 NPN GP AMP |
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| BCP 56 | Hersteller : STMicroelectronics | STMicroelectronics IGBT & Power Bipolar |
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