BCP53-10E6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BCP53-10E6327 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BCP53-10E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BCP 53-10 E6327 | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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BCP 53-10 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
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