
BCP53-10E6327 Infineon Technologies

Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP53-10E6327 Infineon Technologies
Description: TRANS 80V 1A PG-SOT223-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BCP53-10E6327 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BCP53-10E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCP53-10E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 |
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BCP53-10E6327 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP53-10E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCP 53-10 E6327 | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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BCP 53-10 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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