BCP53-16T3 ON Semiconductor
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|---|---|
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Technische Details BCP53-16T3 ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.
Weitere Produktangebote BCP53-16T3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| BCP53-16T3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP53-16T3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-16T3 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BCP53-16T3 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
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BCP53-16 /T3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE13 |
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