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BCP5510TA

BCP5510TA Diodes Zetex

bcp54_55_56.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP5510TA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

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BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCP54_55_56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 640
BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCP54_55_56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
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BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 31000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000
BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
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BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011743496_1-2543609.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Zetex bcp54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP5510TA BCP5510TA Hersteller : Diodes Inc 40918996183434480bcp54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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