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BCP56-10T1G

BCP56-10T1G ON Semiconductor

bcp56t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP56-10T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : onsemi BCP56T1_D-2310426.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ONSEMI 1840530.pdf Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCP56-10T1G BCP56-10T1G Hersteller : ON Semiconductor 1143802747100619bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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