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BCP56-16 (Bipolartransistor NPN)

BCP56-16 (Bipolartransistor NPN) NXP

BCP54,55,56.pdf
Produktcode: 25809
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-223
fT: 130 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: SMD
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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451+0.32 EUR
527+0.26 EUR
535+0.25 EUR
589+0.22 EUR
622+0.2 EUR
654+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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384+0.38 EUR
487+0.29 EUR
609+0.22 EUR
631+0.2 EUR
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1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
336+0.21 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : onsemi BCP56T1_D-1802569.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
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4+0.89 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 14254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
28+0.63 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5808 Stücke:
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor 1143802747100619bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCP56-16T1G BCP56-16T1G Hersteller : ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCP56-16T1G Hersteller : ON-Semicoductor bcp56t1-d.pdf NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.35 EUR
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BCP56-16T1G Hersteller : ON-Semicoductor bcp56t1-d.pdf NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BCP56-16T1G Hersteller : ON-Semicoductor bcp56t1-d.pdf NPN 1A 80V 1.5W 130MHz BCP56-16T3G BCP56-16T3G BCP56-16T1G ONS BCP56-16T1G ONS TBCP5616 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1G Hersteller : ONS bcp56t1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT223 Uceo=80V; Ic=1A; f=130MHz; Pdmax=1,5W; hfe=40/250
auf Bestellung 854 Stücke:
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Anzahl Preis
1+0.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1G Hersteller : On Semiconductor bcp56t1-d.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 130MHz 1.5W Surface Mount SOT-223
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1G Hersteller : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 130; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223
auf Bestellung 1 Stücke:
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BCP53-16.115
Produktcode: 25808
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BCP51,52,53.pdf
BCP53-16.115
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
fT: 114 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 1049 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.17 EUR
10+0.12 EUR
100+0.097 EUR
1000+0.069 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Батарейка PKCELL AA/LR6/AM3 1.5V щелочная
Produktcode: 165865
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Батарейка PKCELL AA/LR6/AM3 1.5V щелочная
+1
Hersteller: PKCELL
Batterien
Material: лужна
Größe: AA / LR06 / "пальчик"
Spannung: 1,5 V
Bemerkung: Ціна вказана за 1 батарейку (Упаковка: плівка 2шт)
Циліндрична
auf Bestellung 1897 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1440 Stück:
1440 Stück - erwartet 08.10.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C3V3
Produktcode: 1381
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BZV55.pdf
BZV55-C3V3
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 3,3
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 1275 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1743
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RC_series.pdf
36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 36 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 13143 Stück
2972 Stück - stock Köln
10171 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 350V ECR 13x21mm (ECR220M2VB-Hitano)
Produktcode: 2738
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ECR_081225.pdf
22uF 350V ECR 13x21mm (ECR220M2VB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 350V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 350 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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