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BCP56-16TA

BCP56-16TA Diodes

bcp54_55_56-464937de.pdf
Produktcode: 122662
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Hersteller: Diodes
Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 125 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP5616TA BCP5616TA Diodes Incorporated BCP56.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
48+0.44 EUR
55+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BCP5616TA BCP5616TA Diodes Incorporated BCP56.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCP5616TA DIODES/ZETEX BCP56.pdf Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCP5616TA DIODES/ZETEX BCP56.pdf Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCP5616TA Diodes INC. BCP54_55_56-464937.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BCP5616TA BCP56.pdf
BCP5616TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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40+0.54 EUR
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55+0.38 EUR
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BCP5616TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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10+0.38 EUR
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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