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BCP56-16TA

BCP56-16TA Diodes

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Produktcode: 122662
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Hersteller: Diodes
Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 125 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP5616TA BCP5616TA Diodes Zetex bcp54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
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BCP5616TA BCP5616TA Diodes Zetex bcp54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
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1010+0.18 EUR
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BCP5616TA BCP5616TA Diodes Incorporated BCP56.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3+1.05 EUR
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BCP5616TA DIODES/ZETEX BCP56.pdf Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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100+0.38 EUR
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BCP5616TA DIODES/ZETEX BCP56.pdf Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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BCP5616TA Diodes INC. BCP54_55_56-464937.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1055 Stücke:
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BCP5616TA bcp54_55_56.pdf
BCP5616TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP5616TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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10+0.71 EUR
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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Hersteller: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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