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BCP56-16TA

BCP56-16TA Diodes

bcp54_55_56-464937de.pdf
Produktcode: 122662
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Hersteller: Diodes
Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 125 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Montage: SMD
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AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCP5616TA BCP5616TA DIODES INCORPORATED BCP54_55_56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
232+0.37 EUR
283+0.3 EUR
544+0.15 EUR
715+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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BCP5616TA BCP5616TA Diodes Incorporated BCP56.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.38 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCP5616TA BCP5616TA Diodes Incorporated BCP56.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
47+0.45 EUR
54+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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BCP5616TA Diodes INC. BCP54_55_56-464937.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3155 Stücke:
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BCP5616TA DIODES/ZETEX BCP56.pdf Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BCP5616TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
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BCP5616TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL); BCP5616TA TBCP5616 DIO
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