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BCP5616H6327XTSA1

BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies

infineonbcp54bcp55bcp56dsv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbcp54bcp55bcp56dsv0101en.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCP54_BCP55_BCP56_DS_v01_01_en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
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