BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote BCP5616H6327XTSA1 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223 |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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BCP5616H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
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