BCP5616TC DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 4000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3457 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 278+ | 0.26 EUR |
| 506+ | 0.14 EUR |
| 698+ | 0.1 EUR |
| 893+ | 0.08 EUR |
| 4000+ | 0.059 EUR |
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Technische Details BCP5616TC DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BCP5616TC nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BCP5616TC | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 25...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Quantity in set/package: 4000pcs. |
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BCP5616TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BCP5616TC | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP5616TC | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP5616TC | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP5616TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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BCP5616TC | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
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