BCP5616TTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details BCP5616TTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BCP5616TTA nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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BCP5616TTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W |
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| BCP5616TTA | Hersteller : Diodes Zetex |
80V NPN Medium Power Transistor |
auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCP5616TTA | Hersteller : Diodes Zetex |
80V NPN Medium Power Transistor |
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BCP5616TTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP5616TTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| BCP5616TTA | Hersteller : Diodes Inc |
80V NPN Medium Power Transistor |
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| BCP5616TTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
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