BCP56T3G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 335+ | 0.43 EUR |
| 447+ | 0.32 EUR |
| 451+ | 0.31 EUR |
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Technische Details BCP56T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BCP56T3G nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BCP56T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP56T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP56T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCP56T3G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BCP56T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCP56T3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 248+ | 0.58 EUR |
| 420+ | 0.34 EUR |
| 540+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
| BCP56T3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 223+ | 0.65 EUR |
| 312+ | 0.45 EUR |
| 335+ | 0.4 EUR |
| 447+ | 0.29 EUR |
| 451+ | 0.28 EUR |
| BCP56T3G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.26 EUR |
| 10+ | 0.78 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2000+ | 0.28 EUR |
| BCP56T3G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56T3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH




