BCR521E6327 Infineon
Hersteller: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Substitute: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327; BCR521E6327 TBCR521
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Technische Details BCR521E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 100 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR521E6327 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| BCR 521 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
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| BCR 521 E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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| 3+ | 1.26 EUR |
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