BCR08PN

BCR08PN Diotec Semiconductor


bcr08pn.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BCR08PN Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BCR08PN BCR08PN Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95AFADE68EFE40D6&compId=bcr08pn.pdf?ci_sign=bc055f5b66db9913107b7c1c86dbad516f1d6c9b Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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417+0.17 EUR
596+0.12 EUR
784+0.091 EUR
875+0.082 EUR
997+0.072 EUR
1367+0.052 EUR
1446+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95AFADE68EFE40D6&compId=bcr08pn.pdf?ci_sign=bc055f5b66db9913107b7c1c86dbad516f1d6c9b Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT; complementary pair
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Digital Transistors Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA
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11+0.27 EUR
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : DIOTEC bcr08pn.pdf Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : DIOTEC bcr08pn.pdf Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BCR08PN Hersteller : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Description: BIASED BJT SOT363 NPN+PNP 2.2K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
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BCR08PN BCR08PN Hersteller : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BCR08PN Hersteller : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Description: BIASED BJT SOT363 NPN+PNP 2.2K
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
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