Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR108WH6327
BCR108WH6327

BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
810+0.089 EUR
900+0.08 EUR
1175+0.061 EUR
1245+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote BCR108WH6327 nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BCR108WH6327 BCR108WH6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
810+0.089 EUR
900+0.08 EUR
1175+0.061 EUR
1245+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 108W H6327 BCR 108W H6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BCR108SERIES-DS-v01_01-en-1225436.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 33154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.49 EUR
10+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR108WH6327 BCR108WH6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS17177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH