 
BCR10PNH6727XTSA1 Infineon Technologies
 Hersteller: Infineon Technologies
                                                Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis | 
|---|---|
| 5485+ | 0.099 EUR | 
| 10000+ | 0.085 EUR | 
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCR10PNH6727XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO. 
Weitere Produktangebote BCR10PNH6727XTSA1 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BCR10PNH6727XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
 | ||||
|   | BCR10PNH6727XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||
|   | BCR10PNH6727XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |  Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||
|   | BCR10PNH6727XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |  Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |  Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar |