
BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Frequency: 140MHz
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
680+ | 0.11 EUR |
920+ | 0.08 EUR |
1441+ | 0.05 EUR |
1454+ | 0.05 EUR |
1539+ | 0.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BCR112E6327HTSA1 nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Frequency: 140MHz Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Collector-emitter voltage: 50V |
auf Bestellung 6603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 76512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 19392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 25899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 25899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 414000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 4740 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |