BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
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Technische Details BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BCR112E6327HTSA1 nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 140, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uсe, B = 0,3, Р, Вт = 0,2,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCR112E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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