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BCR505E6327HTSA1

BCR505E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr505.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5mA 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR505E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR505 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr505.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5mA 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr505.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5mA 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr505.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407910280306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr505.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407910280306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849700.pdf Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR505 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : INFINEON 1849700.pdf Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR505 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcr505.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCR505E6327HTSA1 Hersteller : Infineon bcr505.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407910280306 NPN 50V 500mA 100MHz 330mW BCR505E6327 INFINEON TBCR505
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 200
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