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BCR523E6327HTSA1

BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr523series.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BCR523E6327HTSA1 nach Preis ab 0.083 EUR bis 1.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCR523SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 Infineon info-tbcr523.pdf Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 Infineon info-tbcr523.pdf Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 INFINEON bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
435+0.54 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 INFINEON bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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435+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr523series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCR523E6327HTSA1 Infineon_BCR523SERIES_DS_v01_01_en.pdf
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 41826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
24+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.086 EUR
24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 info-tbcr523.pdf
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 info-tbcr523.pdf
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: Infineon
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+1.34 EUR
435+0.54 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+1.34 EUR
435+0.54 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BCR523E6327HTSA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BCR523E6327HTSA1 bcr523series.pdf
BCR523E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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