
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BCR523E6327HTSA1 nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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BCR523E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V |
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