auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 472+ | 0.15 EUR |
| 857+ | 0.084 EUR |
| 906+ | 0.079 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BCR555E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR555E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
BCR555E6327 Produktcode: 125158
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||
| BCR 555 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| BCR 555 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |