BCR555E6327
Produktcode: 125158
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote BCR555E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR555E6327 | Infineon |
 TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BCR 555 E6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BCR 555 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCR555E6327 |
|
Hersteller: Infineon
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 Транзистори
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR 555 E6327 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCR 555 E6327 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH