Technische Details BCR583E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR583E6327HTSA1 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCR583E6327HTSA1 | Infineon |
 Transistor PNP; 70; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCR583E6327HTSA1; BCR583; BCR583E6327; BCR583E6327HTSA1 TBCR583Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCR583E6327HTSA1 | Infineon |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCR583E6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon
Transistor PNP; 70; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCR583E6327HTSA1; BCR583; BCR583E6327; BCR583E6327HTSA1 TBCR583
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor PNP; 70; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCR583E6327HTSA1; BCR583; BCR583E6327; BCR583E6327HTSA1 TBCR583
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 200+ | 0.19 EUR |
| BCR583E6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon
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