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BCR583E6327HTSA1

BCR583E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCR583E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Bulk
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BCR583E6327HTSA1 BCR583E6327HTSA1 Infineon info-tbcr583.pdf Transistor PNP; 70; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCR583E6327HTSA1; BCR583; BCR583E6327; BCR583E6327HTSA1 TBCR583
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BCR583E6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS10861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR583E6327HTSA1 - BCR583 - DIGITAL TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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euEccn: TBC
hazardous: false
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