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BCV65,215

BCV65,215 Nexperia

bcv65.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
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Technische Details BCV65,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143B, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : Nexperia bcv65.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : Nexperia bcv65.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : NXP Semiconductors BCV65.pdf Description: TRANS NPN/PNP 30V 100MA SOT-143B
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : Nexperia bcv65.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : Nexperia BCV65.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT143 30V .1A NPN/PNP BJT
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1000+0.31 EUR
3000+0.17 EUR
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BCV65.215
Produktcode: 100984
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : NEXPERIA bcv65.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCV65.pdf Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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BCV65,215 BCV65,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988FA9122B8B178BF&compId=BCV65.pdf?ci_sign=0055ac09383f88263eb6688e2a10b0bba5e73a57 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT143B
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT143B
Current gain: 75...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common base; common emitter
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