BCW32LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BCW32LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BCW32LT1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.30 EUR
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
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BCW32LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BCW32LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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BCW32LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
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BCW32LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW32LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW32LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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