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BCW61B,215

BCW61.pdf
Produktcode: 194332
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50900 Stücke:
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10000+0.074 EUR
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 51000 Stücke:
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia bcw61.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 87000 Stücke:
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : NEXPERIA BCW61.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...310
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 2805 Stücke:
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
472+0.15 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia BCW61.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 310 Stücke:
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8+0.38 EUR
13+0.23 EUR
50+0.2 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW61
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1958 Stücke:
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS09979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW61
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : NXP BCW61.pdf TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW61.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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BCW61B,215 BCW61B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW61.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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