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BCW65CLT1G

BCW65CLT1G onsemi

bcw65alt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.073 EUR
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Technische Details BCW65CLT1G onsemi

Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote BCW65CLT1G nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1237+0.14 EUR
1279+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1237 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4270 Stücke:
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1090+0.17 EUR
1123+0.15 EUR
1159+0.14 EUR
1197+0.13 EUR
1237+0.12 EUR
1279+0.11 EUR
1327+0.1 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1090 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi BCW65ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi bcw65alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 14036 Stücke:
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56+0.38 EUR
94+0.23 EUR
152+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
901+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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1197+0.13 EUR
1237+0.12 EUR
1279+0.11 EUR
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100+0.13 EUR
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Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
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BCW65CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCW65CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
553+0.45 EUR
901+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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BCW65CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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