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BCW66GLT1G

BCW66GLT1G ON Semiconductor

bcw66glt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW66GLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
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3000+0.046 EUR
6000+0.041 EUR
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15000+0.035 EUR
21000+0.034 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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2632+0.055 EUR
2968+0.047 EUR
3413+0.039 EUR
4311+0.03 EUR
6000+0.021 EUR
15000+0.019 EUR
30000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1283+0.1 EUR
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2632+0.047 EUR
2968+0.04 EUR
3413+0.033 EUR
4311+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 831
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi BCW66GLT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
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21+0.14 EUR
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500+0.063 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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122+0.14 EUR
200+0.088 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.056 EUR
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 319
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 319
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Produktcode: 173997
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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