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BCW66GLT1G

BCW66GLT1G ON Semiconductor

bcw66glt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW66GLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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1875+ 0.039 EUR
2100+ 0.034 EUR
2475+ 0.029 EUR
2600+ 0.028 EUR
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1525
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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935+ 0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 678
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi BCW66GLT1_D-2310274.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
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Mindestbestellmenge: 135
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 366000 Stücke:
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BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI ONSMS25903-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G
Produktcode: 173997 		bcw66glt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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