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BCW66GLT1G

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Produktcode: 173997
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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20834+0.026 EUR
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 258000 Stücke:
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Anzahl Preis
3718+0.039 EUR
6000+0.028 EUR
15000+0.025 EUR
30000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3718
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3718+0.039 EUR
6000+0.028 EUR
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.046 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.038 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.034 EUR
30000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2632+0.055 EUR
2968+0.047 EUR
3413+0.039 EUR
4311+0.03 EUR
6000+0.021 EUR
15000+0.019 EUR
30000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61284 Stücke:
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831+0.17 EUR
1270+0.11 EUR
1283+0.1 EUR
2605+0.05 EUR
2632+0.047 EUR
2968+0.04 EUR
3413+0.033 EUR
4311+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 831
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi BCW66GLT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
auf Bestellung 71465 Stücke:
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13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.088 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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122+0.14 EUR
200+0.088 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28404 Stücke:
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G Hersteller : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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