BCW66GLT3G ON Semiconductor
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Technische Details BCW66GLT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 160, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BCW66GLT3G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BCW66GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCW66GLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BCW66GLT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR |
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BCW66GLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCW66GLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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