BD13516STU onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 1.82 EUR |
60+ | 1.5 EUR |
120+ | 1.09 EUR |
540+ | 0.91 EUR |
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Technische Details BD13516STU onsemi
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD135, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BD13516STU nach Preis ab 0.69 EUR bis 1.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BD13516STU | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 1144 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BD13516STU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BD135 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13516STU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD13516STU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD13516STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.25W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD13516STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.25W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube |
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