BD13716STU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1920+ | 0.39 EUR |
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Technische Details BD13716STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Weitere Produktangebote BD13716STU nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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BD13716STU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 3586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 100...250 Power dissipation: 12.5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 100...250 Power dissipation: 12.5W |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 4838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 11229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD13716STU | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD13716STU | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD13716STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
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