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BD13716STU

BD13716STU ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
130+0.55 EUR
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Technische Details BD13716STU ONSEMI

Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.

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BD13716STU BD13716STU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
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BD13716STU BD13716STU Hersteller : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
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BD13716STU BD13716STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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BD13716STU Hersteller : ON-Semicoductor BD135%2C137%2C139.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
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BD13716STU BD13716STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD13716STU BD13716STU Hersteller : onsemi / Fairchild BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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