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BD139-10 (SOT-32, STM)

BD139-10 (SOT-32, STM) ST/CDIL

Produktcode: 161642
Hersteller: ST/CDIL
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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BD139-10 (Bipolartransistor NPN) BD139-10 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 49049
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Hersteller : Fairchild Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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553+0.25 EUR
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Frequency: 50MHz
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
auf Bestellung 606 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 114
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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4000+0.12 EUR
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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18+1.02 EUR
50+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BD139-10 Hersteller : CDIL bd139.pdf Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139-10 Hersteller : ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
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100+0.46 EUR
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BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD13910 Hersteller : onsemi BD139-1300155.pdf Bipolar Transistors - BJT
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Gehäuse: TO-126
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U, V: 80 V
U, V: 100 V
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BD140
Produktcode: 15292
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1962 St.
104 St. - stock Köln
1858 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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BD140-16
Produktcode: 39648
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description datasheet_nxp-bd140-16.pdf
BD140-16
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
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10+0.25 EUR
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TIP35C (TO-247, ST)
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TIP35C (TO-247, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 25 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 84 St.:
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