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BD139-10 (SOT-32, STM)

BD139-10 (SOT-32, STM) ST/CDIL

Produktcode: 161642
Hersteller: ST/CDIL
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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BD139-10 (Bipolartransistor NPN) BD139-10 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 49049
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Hersteller : Fairchild Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 37015 Stücke:
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Frequency: 50MHz
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 63...160
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Frequency: 50MHz
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 63...160
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
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Anzahl Preis
103+0.70 EUR
151+0.47 EUR
171+0.42 EUR
227+0.32 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Anzahl Preis
158+0.99 EUR
304+0.50 EUR
360+0.40 EUR
362+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.20 EUR
4000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 158
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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3+1.12 EUR
10+0.47 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.23 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
50+0.51 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 697 Stücke:
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BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.35 EUR
100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BD139-10 Hersteller : ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-10 BD139-10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD13910 Hersteller : onsemi BD139-1300155.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1526 Stück
104 Stück - stock Köln
1422 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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BD140-16
Produktcode: 188702
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description bd140.pdf
BD140-16
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 253 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 13221 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5551
Produktcode: 193606
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2N5551.pdf
2N5551
Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 1781 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 6900 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 60000 Stück:
60000 Stück - erwartet 07.04.2025
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