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BD139-10 (SOT-32, STM)

BD139-10 (SOT-32, STM) ST/CDIL

Produktcode: 161642
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Hersteller: ST/CDIL
Gehäuse: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 7153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.55 EUR
326+0.52 EUR
367+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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BD139-10 BD139-10 CDIL info-tbd13725.pdf Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 7128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.55 EUR
365+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
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BD139-10 BD139-10 ST TBD13910_STM_0001.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
326+0.71 EUR
486+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 35157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.15 EUR
100+0.95 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.46 EUR
12000+0.4 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
180+1.29 EUR
218+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139-10 STMicroelectronics BD135-6-9-140_STM.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 17 Stücke:
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BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 7153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.55 EUR
326+0.52 EUR
367+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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BD139-10 info-tbd13725.pdf
BD139-10
Hersteller: CDIL
Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 7128 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
324+0.55 EUR
365+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
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BD139-10 TBD13910_STM_0001.pdf
BD139-10
Hersteller: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
326+0.71 EUR
486+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 35157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.03 EUR
10+1.15 EUR
100+0.95 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.46 EUR
12000+0.4 EUR
30000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 244 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
102+2.45 EUR
180+1.29 EUR
218+0.99 EUR
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BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
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BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 BD135-6-9-140_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
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BD140-16
Produktcode: 188702
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BD140-16
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 МГц
Spannung Uce, V: 80 В
Spannung Ucb, V: 100 В
Strom Ic, A: 1,5 А
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 St.
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BD140-16 (SOT-32, Nexperia)
Produktcode: 39648
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datasheet_nxp-bd140-16.pdf
BD140-16 (SOT-32, Nexperia)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
auf Bestellung: 194 St.
  • 194 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.35 EUR
10+0.3 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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TIP35C (TO-247, ST)
Produktcode: 125172
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TIP35C (TO-247, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 25 А
Montage: THT
auf Bestellung: 154 St.
  • 154 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
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