BD139-16 (Bipolartransistor NPN) (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD139-16 (Bipolartransistor NPN)

BD139-16 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 32641
Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100

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Technische Details BD139-16 (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR, NPN, SOT-32
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Max Current Ic Continuous a:1.5A
  • Max Voltage Vce Sat:0.5V
  • Power Dissipation:1.25W
  • Min Hfe:25
  • Case Style:SOT-32
  • Termination Type:SMD
  • Current Ic hFE:0.5A
  • DC Collector Current:1.5A
  • DC Current Gain hFE:40
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:3A
  • Max Power Dissipation Ptot:12.5W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Voltage Vcbo:80V
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • Transistor Case Style:SOT-32

Preis BD139-16 (Bipolartransistor NPN) ab 0.15 EUR bis 1.22 EUR


Produktcode: 152947
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

975277

BD139-16
Hersteller: ST
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Hersteller: LGE
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD139-16 TO126 TBD13916 LGE
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Hersteller: LGE
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD139-16 TO126 TBD13916 LGE
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Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD139-16 TO126 STM TBD13916
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BD139-16
BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
Supplier Device Package: SOT-32-3
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 1.25
DC Current Gain hFE: 100
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 1.5
Transistor Case Style: SOT-32
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
2307016.pdf
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BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD139-16ST NPN THT transistors
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Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD139-16 TO126 CDiL TBD13916cd
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Hersteller:
BD139-16 NPN 80V 1.5A 12.5W TO126
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BD139-16
Hersteller: CDIL
Material: BD139-16-CDI NPN THT transistors
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Hersteller:
BD139-16 NPN 80V 1.5A 12.5W TO126
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NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Trans. BD139-16 TO126 CDiL TBD13916cd
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BD139-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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U, V: 100
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h21,max: 250
120 Stück - stock Köln
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fT: 300 MHz
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Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
146 Stück - stock Köln
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