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BD139-16

BD139-16 STMicroelectronics

cd0000122.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Technische Details BD139-16 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-32, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Frequency: 50MHz
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 80V
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
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171+0.42 EUR
224+0.32 EUR
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Frequency: 50MHz
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 80V
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD139-16 Hersteller : ARK bd139.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
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BD139-16 Hersteller : JSMicro Semiconductor bd139.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
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BD139-16 Hersteller : JSMSEMI bd139.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
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BD139-16 Hersteller : LGE bd139.pdf Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
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BD139-16 Hersteller : LGE bd139.pdf Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
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BD139-16 Hersteller : ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139-16 Hersteller : ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139-16 Hersteller : ST bd139.pdf Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD13916 Hersteller : onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126
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