BD13916S

BD13916S onsemi / Fairchild


BD139_D-1802507.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 2323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.92 EUR
10+0.79 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.33 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BD13916S onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote BD13916S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD13916S BD13916S Hersteller : ONSEMI 2299531.pdf Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916S BD13916S Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916S BD13916S Hersteller : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916S BD13916S Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916S BD13916S Hersteller : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916S BD13916S Hersteller : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH