BD139G

BD139G ON Semiconductor


bd135-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details BD139G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD139G BD139G Hersteller : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD139G BD139G Hersteller : ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 40...250
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
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92+0.78 EUR
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Case: TO225
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Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
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BD139G BD139G Hersteller : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD139G BD139G Hersteller : onsemi BD135_D-1802410.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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BD139G BD139G Hersteller : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
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14+1.33 EUR
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BD139G BD139G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BD139G Hersteller : ON Semiconductor bd135-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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BD139G
Produktcode: 194229
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