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BD139G

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Produktcode: 194229
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD139G BD139G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
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500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
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BD139G BD139G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 725 Stücke:
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127+1.39 EUR
180+0.96 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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BD139G BD139G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 725 Stücke:
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76+2.34 EUR
127+1.34 EUR
180+0.9 EUR
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BD139G BD139G onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
auf Bestellung 3094 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
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BD139G BD139G onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BD139G BD139G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1230 Stücke:
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BD139G ON Semiconductor BD135-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD139G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.39 EUR
180+0.96 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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BD139G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.34 EUR
127+1.34 EUR
180+0.9 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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BD139G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
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BD139G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1230 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
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