BD139G
Produktcode: 194229
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BD139G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W |
auf Bestellung 4521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD139G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD139G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
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BD139G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |