BD14010STU onsemi / Fairchild
auf Bestellung 3409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.75 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 1920+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BD14010STU onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD14010STU nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD14010STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1221 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BD14010STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A |
auf Bestellung 1221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BD14010STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD14010STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
BD14010STU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
BD14010STU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
Produkt ist nicht verfügbar |




