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BD140-16

BD140-16 STMicroelectronics

cd0000122.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Technische Details BD140-16 STMicroelectronics

Description: MULTICOMP PRO - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: SOT32
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100...250
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
120+0.60 EUR
211+0.34 EUR
257+0.28 EUR
285+0.25 EUR
439+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Collector current: 1.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: SOT32
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2V, 150MA
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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Anzahl Preis
20+0.92 EUR
50+0.41 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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157+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 157
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
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4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD140-16 Hersteller : JSMSEMI bd139.pdf Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 JSMICRO TBD14016 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 100
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BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140-16 Hersteller : STM bd139.pdf Транз. Бипол. PNP TO-126-3 Uceo=-80V; Ic=-1,5A; Pdmax=1,25W; hfe=100/250
auf Bestellung 844 Stücke:
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Anzahl Preis
1+1.58 EUR
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BD140-16 Hersteller : CDIL bd139.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD139)
auf Bestellung 1675 Stücke:
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BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
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BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140-16 Hersteller : onsemi / Fairchild BD140-1300038.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD14016 Hersteller : onsemi BD140-1300038.pdf Bipolar Transistors - BJT
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