Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP > BD140-16 NXP
BD140-16

BD140-16 NXP

datasheet_nxp-bd140-16.pdf
Produktcode: 39648
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
auf Bestellung 446 Stück:
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1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
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Technische Details BD140-16 NXP

  • TRANSISTOR, PNP, SOT-32
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Power Dissipation Pd:1.25W
  • DC Collector Current:1.5A
  • DC Current Gain hFE:40
  • Transistor Case Style:SOT-32
  • No. of Pins:3
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:SOT-32
  • Current Ic hFE:0.15A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:1.5A
  • Max Current Ic Continuous a:1.5A
  • Max Power Dissipation Ptot:1.25W
  • Max Voltage Vce Sat:0.5V
  • Min Hfe:100
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.25W
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:80V

Analogon BD140-16 NXP

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD140-16 BD140-16
Produktcode: 188702
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Hersteller : Philips bd140.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 208 Stück:
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Möglichen Substitutionen BD140-16 NXP

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BD140-16 BD140-16
Produktcode: 188702
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Hersteller : Philips bd140.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
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BD140-16 BD140-16
Produktcode: 188702
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Hersteller : Philips bd140.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 50475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+0.18 EUR
10000+0.16 EUR
50000+0.14 EUR
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BD14016STU транзистори
Produktcode: 198101
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 50000 Stücke:
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10000+0.16 EUR
50000+0.14 EUR
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 191043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
353+0.42 EUR
432+0.33 EUR
546+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 353
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 160MHz
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
185+0.39 EUR
227+0.32 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 160MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
185+0.39 EUR
227+0.32 EUR
388+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 107
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 191043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.74 EUR
355+0.40 EUR
434+0.32 EUR
549+0.24 EUR
1000+0.20 EUR
2000+0.16 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 201
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2V, 150MA
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
50+0.46 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
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Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+0.51 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
2000+0.23 EUR
10000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD14016STU BD14016STU Hersteller : onsemi / Fairchild BD140_D-2310332.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 3122 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.18 EUR
10+1.03 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.50 EUR
1920+0.45 EUR
5760+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD14016STU BD14016STU Hersteller : ON Semiconductor bd136-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 55783 Stücke:
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BD14016STU BD14016STU Hersteller : ON Semiconductor bd136-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD14016STU Hersteller : ON-Semicoductor BD136_138_140.pdf Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD14016STU; BD140-16/FSC; BD140-16 FSC; BD14016STU TBD14016 FSC
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BD14016STU BD14016STU
Produktcode: 89440
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Hersteller : ST datasheet-bd140-16.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
U, V: 80 V
U, V: 80 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 160
Produkt ist nicht verfügbar
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BD140-16 BD140-16 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD14016STU BD14016STU Hersteller : ON Semiconductor bd136-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD140-16 Hersteller : JSMSEMI bd139.pdf Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 JSMICRO TBD14016 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.27 EUR
24+0.24 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD140-16 Hersteller : STM bd139.pdf Транз. Бипол. PNP SOT-32 (TO-126-3) Uceo=-80V; Ic=-1,5A; Pdmax=12,5W; hfe=100/250
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.53 EUR
10+0.42 EUR
100+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140-16 Hersteller : ST bd139.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD14016STU Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor BD136_138_140.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; TO-126-3
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.72 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BD14016STU Hersteller : ON-Semicoductor BD136_138_140.pdf Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD14016STU; BD140-16/FSC; BD140-16 FSC; BD14016STU TBD14016 FSC
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BD140-16 Hersteller : CDIL bd139.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD139)
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD14016STU BD14016STU Hersteller : onsemi BD136_138_140.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
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BD140-16 Hersteller : onsemi / Fairchild BD140-1300038.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD14016 Hersteller : onsemi BD140-1300038.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD14016STU BD14016STU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD14016STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BD140-16 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 7 Stück
Anzahl Preis
1+0.10 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
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BD139-16 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 182302
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BD139-16 (транзистор биполярный NPN)
Hersteller: CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 1158
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 453 Stück
50 Stück - stock Köln
403 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.10 EUR
100+0.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 1115 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
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BC640
Produktcode: 3455
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BC636,638,640.pdf
BC640
Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 580 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.05 EUR
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