BD237G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 25W
Collector current: 2A
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 56+ | 1.29 EUR |
| 89+ | 0.81 EUR |
| 105+ | 0.69 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
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Technische Details BD237G ONSEMI
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD237G nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BD237G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO225 Power dissipation: 25W Collector current: 2A Current gain: 40 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD237G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN |
auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD237G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237G Produktcode: 190177
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BD237G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD237G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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