BD237G ON Semiconductor
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Technische Details BD237G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Weitere Produktangebote BD237G nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BD237G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD237G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
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BD237G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN |
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BD237G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237G Produktcode: 190177 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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BD237G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD237G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 25W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 3MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2A |
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BD237G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BD237G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
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