BD237STU ON Semiconductor / Fairchild
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Technische Details BD237STU ON Semiconductor / Fairchild
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Weitere Produktangebote BD237STU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BD237STU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BD237STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD237STU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
Produkt ist nicht verfügbar |