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BD435G

BD435G ON Semiconductor

bd437-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details BD435G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.

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BD435G BD435G Hersteller : ON Semiconductor bd437-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD435G BD435G Hersteller : onsemi bd437-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
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BD435G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011394656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BD435G BD435G Hersteller : ON Semiconductor 1128bd437-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD435G BD435G Hersteller : onsemi bd437-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
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BD435G BD435G Hersteller : onsemi BD437_D-2310247.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V
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