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BD442 CDIL

bd442-datasheet.pdf
Produktcode: 155331
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Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT-32
Spannung Uce, V: 80 В
Spannung Ucb, V: 80 В
Strom Ic, A: 4 А
Stromverstärkung h21, max: 140
auf Bestellung: 68 St.
  • 68 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD442 BD442 LGE info-tbd436.pdf Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442-VB; BD442 TBD442
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 BD442 JSMicro Semiconductor TBD442_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor PNP; 40; 1,25W, 80V; 4A; 3MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD442G; BD442STU; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442 JSMICRO TBD442 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD442 BD442 onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 BD442 MULTICOMP PRO 4161952.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD442 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
237+0.98 EUR
351+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 BD442 LUGUANG ELECTRONIC BD438,440,442.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 ON Semiconductor bd438-d.pdf BD442.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2104+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2104 Stücke
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BD442 info-tbd436.pdf
BD442
Hersteller: LGE
Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442-VB; BD442 TBD442
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BD442 TBD442_JSM_JSMICRO_0001.pdf
BD442
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 40; 1,25W, 80V; 4A; 3MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD442G; BD442STU; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442 JSMICRO TBD442 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BD442 bd438-d.pdf
BD442
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 4161952.pdf
BD442
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD442 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.68 EUR
237+0.98 EUR
351+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 BD438,440,442.pdf
BD442
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442 bd438-d.pdf BD442.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2104+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2104 Stücke
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30 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-30R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11296
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30 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-30R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 30 Ohm
Toleranz: ±5% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 13874 St.
  • 13874 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
56 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-56K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11280
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rc_series_20150401_1.pdf
56 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-56K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 56 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 12632 St.
  • 12632 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+0.0098 EUR
240+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 130 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4119
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 30110 St.
  • 30110 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR4100ERLG
Produktcode: 2526
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mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 4 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.86 EUR
10+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1253
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BC847C.pdf
BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 9000 St.
  • 9000 St. - erwartet 05.10.2026
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
34+0.036 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.024 EUR
10000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH