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BD442 CDIL

bd442-datasheet.pdf
Produktcode: 155331
Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT-32
U, V: 80 V
U, V: 80 V
I, А: 4 A
h21,max: 140
auf Bestellung 68 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD442 BD442 Hersteller : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1397+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1397
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BD442 BD442 Hersteller : MULTICOMP PRO bd438-d.pdf BD442.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD442 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD442 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC bd438-d.pdf BD442.pdf BD442-LGE PNP THT transistors
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
317+0.23 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 317
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BD442 Hersteller : ON Semiconductor bd438-d.pdf BD442.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2104+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2104
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BD442 Hersteller : LGE bd438-d.pdf BD442.pdf Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442-VB; BD442 TBD442
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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BD442 Hersteller : JSMicro Semiconductor bd438-d.pdf BD442.pdf Transistor PNP; 40; 1,25W, 80V; 4A; 3MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD442G; BD442STU; BD442-CDI; BD442-LGE; BD442 JSMICRO TBD442 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics bd440.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD442 BD442 Hersteller : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
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BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics BD442.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-32
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
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BD442 BD442 Hersteller : STMicroelectronics bd438-d.pdf BD442.pdf Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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BD442 BD442 Hersteller : onsemi bd438-d.pdf BD442.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
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30 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11296
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30 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 30 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 2048 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 15000 Stück:
15000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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56 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11280
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rc_series_20150401_1.pdf
56 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 56 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 20132 Stück
5000 Stück - stock Köln
15132 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4119
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 4684 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet
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1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MUR4100ERLG
Produktcode: 2526
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mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis
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BC847C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1253
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BC847C.pdf
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: 8541210090
auf Bestellung 10200 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.012 EUR
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