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BD677 (Bipolartransistor NPN)

BD677 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 38312
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Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-32 (TO-126)
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 4
h21: 750
ZCODE: THT
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics BD678.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: SOT32
Current gain: 750
Mounting: THT
Kind of package: tube
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BD677 BD677 Hersteller : import info-tbd677.pdf Darl.NPN 4A 60V 40W 1MHz BD677 TBD677
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000939.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
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BD677 BD677 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000939.pdf bd675-d.pdf Darlington Transistors DARLINGTON TRAN
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500+0.35 EUR
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4000+0.24 EUR
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BD677 BD677 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861466.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD677 - Bipolarer Einzeltransistor, Darlington, NPN, 60V, 40W, 4A, 750hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 750hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Bauform - HF-Transistor: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BD677 BD677 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307370.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD677 - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, SOT-32, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BD677 BD677 Hersteller : STM en.CD00000939.pdf bd675-d.pdf NPN Дарлингтон, Uкэ=60V, Iк=4A (6 имп.), h21=750, 40Вт, SOT-32 (комплементарный BD678A) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD677 BD677 Hersteller : onsemi bd675-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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BD677 BD677 Hersteller : onsemi en.CD00000939.pdf bd675-d.pdf Darlington Transistors 4A 60V Bipolar
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BD678A
Produktcode: 48814
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en.CD00000939.pdf
BD678A
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-32 (TO-126)
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 4
h21,max: 750
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10+0.19 EUR
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1uF 160V ECR 5x11mm (ECR010M2CB-Hitano)
Produktcode: 3147
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ECR_081225.pdf
1uF 160V ECR 5x11mm (ECR010M2CB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1uF
Nennspannung: 160V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9085 St.
294 St. - stock Köln
8791 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.03 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.017 EUR
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0,47uF 50V ECR 5x11mm (ECRR47M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3111
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ECR_081225.pdf
0,47uF 50V ECR 5x11mm (ECRR47M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 0,47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 8008 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.012 EUR
1000+0.0087 EUR
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3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano)
Produktcode: 3021
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ECR_081225.pdf
3300uF 50V ECR 18x36mm (ECR332M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x36mm
Lebensdauer: 18х36mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 400 St.
400 St. - erwartet
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10+0.81 EUR
100+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L6562DTR
Produktcode: 3001
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L6562.pdf
L6562DTR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER
Spannung, eing., V: 10,3...22 V
Fosc, kHz: 1000 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 28 St.
9 St. - stock Köln
19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.37 EUR
10+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH